OV02686-H40A 图像传感器

功耗差异：
CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外（需外加 power IC），高驱动电压更使其功耗远**CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision推出的OV7 ** 0（1/4英寸、VGA），在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大，不能长时间在阳光下工作。［1］

CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。

Agilent
Agilent主要的产品为*二代的CIF（352*288）HDCS-1020和*二代的VGA（ ** 0*480）HDCS-2020，主要应用在数码相机 、行动电话、PDA、PC Camera等新兴的资讯家电产品之中，此外Agilent在2000年另一成功策略是和Logitech与Microsoft策略联盟，打入了光学鼠标产品领域，但是这是非常低阶的CMOS产品，而且不是为了捕捉影像 ，所以在做影像感测器的**统计时并未将此数量一并加入，但是此举可看出Agilent以CMOS技术为基础进军光学元件的规划意图。

填充因数与**效率
这填充因数（Fill Factor），又叫充满因数，它指像素上的光电二管相对于像素表面的大小。**效率（Quantun efficiency）是指一个像素被光子撞击后实际和理论大值电子数的归一化值。被动式像素结构的电荷填充因数通常可达到70%，因此**效率高。但光电二管积累的电荷通常很小，很易受到杂波干扰。再说像素内部又没有信号放大器，只依赖垂直总线终端放大器，因而读出的信号杂波很大，其S/N比低，更因不同位置的像素杂波大小不一样（固定图形噪波FPN）而影响整个图像的质量。而主动性像素结构与被动式相比，它在每个像素处增加了一个放大器，可以将光电二管积累的电荷转换成电压进行放大，大大提高了S/N比，从而提高了传输过程中抗干扰的能力。但由于放大器占据了过多的像素面积，因而它的填充因数相对较低，一般在25%-35%之间。
深圳海木芯科技有限公司成立于2021年，具有多年图像传感器行业经验. 主要现货销售：SONY、OV、 ON、SOI 、SMARTSEN、SGALAXYCORE等国内外CMOS SENSOR及瑞昱、联咏、NECXTHIP、海思等主控ISP ， 公司经营的产品广泛应用于、航空航天、通信、仪器仪表、工业控制、汽车电子、医疗、安防监控、智能家居等诸多领域，并可为您提供工业级偏冷门器件，长期备有现货库存。“只做原厂原装”是本公司宗旨，公司本着“薄利多销、互惠互利、诚信经营”的原则，竭诚为新老客户提供优质的产品务。
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